四探針法晶圓電阻率測定儀

產品介紹

全自動晶圓成像電阻率測試儀

產品名稱：全自動晶圓成像電阻率測試儀

產品型號：GEST-201

一、產品概述

本儀器主要通過四探針法測試單晶硅電阻率，具有自動定位的三坐標自動測量系統，可以自由設置測量點數量，自動測試完成，可以對測試出的數據進行2D成像，是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。

儀器采用了*電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。

本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試

二、儀器構成：

本儀器主要組成部分有：

1、 高精度電阻率測試儀

2、 三坐標測試移動平臺

3、 測試探頭

4、 上位機軟件測量成像系統

高精度電阻率測量儀：

1、測量范圍

1.1電阻率：0.00001～20000Ω.cm (可擴展)

1.2電導率：0.00005～10000 s/cm；

1.3電阻：0.00001～20000Ω.cm；

2、電壓測量：

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力：10μV；

2.3 精度：±0.1% ；

2.4顯示：觸摸屏操作顯示

3、恒流源：

3.1電流輸出：10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2電流誤差：±0.5%

3.3各檔連續可調

三坐標測試移動品臺：

1、X軸Y軸移動行程：120MM

2、X軸Y軸*小位移量：0.125MM

3、R軸*小分度值：0.0125°C

四探針測試電極：

1、間距：1±0.01mm；
2、針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
3、機械游移率：≤0.3％；
4、探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
5、 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

上位機軟件測量成像系統

1、 測量方式：弧度測量、角度測量

2、 測量點數：可以設定

3、 測試數據：實時同步顯示

4、 2D成像：測試完成后，可以立體成像

5、 數據導出：可以保存測試數據生成電子版本

注：若整只正常生產的產品的爬電比距大于20mm/kV時，試驗電壓應經供需雙方協議確定，式中：U——試驗電壓,kV；P—生產線產品按系統高運行電壓換算的爬電比距，mm/kV；L--試品的爬電距離，mm。此試驗應在潮濕、密封、防銹的霧室中進行，霧室的容積不應超過10m應備有一個不大于80cm。的孔，以便自然排氣。用渦輪噴霧器或具有恒定噴射能力的室內噴霧裝置用作為水的噴霧器。霧應充滿試驗室且不應直接噴向試品。將由NaCl和去離子水配制好的鹽水裝入噴霧裝置中。為了得到工頻試驗電壓，應使用的試驗變壓器當高壓側帶有阻性電流250mA(r.m.s.)的負荷時,試驗回路大電壓降不超過5%。保護水平應調整到lA(r.m.s.)°在開始試驗前。

試品應用去離子水清洗。試驗時一只試品應水平地安裝(大約在霧室高度的一半位置處)，第二只試品應垂直安裝，水流的速率是以升每小時和每立方米試驗室體積來定義的。不允許用循環水。注：為便于檢査，允許試驗有幾次中斷.但每次中斷不應超過15min,中斷的時間不應計入試驗時間內。對于嚴酷環境條件(強烈的陽光照射，頻繁的溫度變化并凝露，由JB/T5895所定義的重污穢或嚴重污穢)，可經用戶和制造廠間協議采用附錄C所述的試驗方法。若每只被試試品沒有出現超過3次過流中斷，不產生起痕，蝕損沒有腐蝕到玻璃纖維芯棒，芯棒不應能看見，傘裙沒被擊穿，則認為試驗通過。目前，還不能提出允許蝕損開裂數目定量化考核的可靠準則。隨著本試驗經驗的進一步積累。

四探針法晶圓電阻率測定儀

四探針法晶圓電阻率測定儀